產(chǎn)品型號(hào)：STGP-80-12
爐膛尺寸：Φ80x1200mm
額定溫度：1200℃
控溫精度：±1℃
應(yīng)用領(lǐng)域：PECVD系統(tǒng)（等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)）由管式爐、真空獲得、流量控制和射頻電源四大模塊組成， 本設(shè)備借助13.56Mhz的射頻輸出使含有薄膜組成原子的氣體電離，在真空腔體內(nèi)形成等離子體，利用等離子的強(qiáng)化學(xué)活性，改善反應(yīng)條件，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)，得到基片上沉積出所期望的薄膜，適用于1200℃條件下進(jìn)行SiO2、SiNx薄膜的沉積。
